N-kanals transistor FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-kanals transistor FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
41.52kr
5-24
37.84kr
25-49
34.81kr
50-99
32.62kr
100+
28.89kr
Antal i lager: 25

N-kanals transistor FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 3170pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 300A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 1150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 160W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(av): 175 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET® MOSFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQP85N06
32 parametrar
ID (T=100°C)
60A
ID (T=25°C)
85A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.008 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
3170pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
300A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
1150pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
160W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(av)
175 ns
Td(på)
40 ns
Teknik
DMOS, QFET® MOSFET
Trr-diod (Min.)
70 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild