N-kanals transistor FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1150pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 132A. Kanaltyp: N. Kostnad): 320pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 127W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 80 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41