N-kanals transistor FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.258 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 220pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Låg grindladdning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 5.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 55pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: FQD7N10L. Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 17 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41