N-kanals transistor FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

N-kanals transistor FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
45.24kr
5-14
40.01kr
15-29
37.05kr
30-59
34.76kr
60+
30.92kr
Antal i lager: 21

N-kanals transistor FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2500pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 280A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 720pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 214W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 85nC). Td(av): 130 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: DMOS-teknik. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQA70N10
33 parametrar
ID (T=100°C)
49.5A
ID (T=25°C)
70A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.019 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
TO-3PN
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2500pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
280A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
720pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
214W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Spec info
Låg grindladdning (typiskt 85nC)
Td(av)
130 ns
Td(på)
30 ns
Teknik
DMOS-teknik
Trr-diod (Min.)
110 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild