N-kanals transistor FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V

N-kanals transistor FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
49.88kr
5-9
45.15kr
10-29
42.14kr
30-59
39.09kr
60+
34.76kr
Antal i lager: 308

N-kanals transistor FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.067 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1250pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typiskt 40nC). G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 132A. Kanaltyp: N. Kostnad): 260pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 227W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(av): 100 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: DMOS-teknik. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQA28N15
30 parametrar
ID (T=100°C)
23.3A
ID (T=25°C)
33A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.067 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
TO-3PN
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1250pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Snabb växling, låg grindladdning (typiskt 40nC)
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
132A
Kanaltyp
N
Kostnad)
260pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
227W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(av)
100 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
DMOS-teknik
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild