N-kanals transistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

N-kanals transistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
79.86kr
5-9
72.60kr
10-24
67.13kr
25+
61.67kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 74A. Kanaltyp: N. Kostnad): 350pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 150 ns. Td(på): 65 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQA19N60
30 parametrar
ID (T=100°C)
11.7A
ID (T=25°C)
18.5A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.3 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
TO-3PN
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC)
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
74A
Kanaltyp
N
Kostnad)
350pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
300W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
150 ns
Td(på)
65 ns
Teknik
DMOS, QFET
Trr-diod (Min.)
420 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild