N-kanals transistor FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V

N-kanals transistor FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
94.10kr
5-14
84.73kr
15-29
77.98kr
30-59
73.45kr
60+
66.70kr
Antal i lager: 26

N-kanals transistor FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. Avgift: 120nC. C(tum): 2110pF. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 40A. Collector Peak Current IP [A]: 120A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 116W. Emitter - grindspänning: ±20V. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Förpackning: tubus. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kollektorström: 80A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 200pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.9V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: FGH40N60SFD. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 600V. Td(av): 115 ns. Td(på): 25 ns. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: IGBT. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
FGH40N60SFDTU
37 parametrar
Hölje
TO-247
Ic(T=100°C)
40A
Hölje (enligt datablad)
TO-247AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
Avgift
120nC
C(tum)
2110pF
CE-diod
ja
Collector Current IC [A]
40A
Collector Peak Current IP [A]
120A
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
116W
Emitter - grindspänning
±20V
Funktion
Induction Heating, UPS, SMPS, PFC
Förpackning
tubus
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
4 v
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6.5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kollektorström
80A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
200pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.9V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
FGH40N60SFD
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.3V
Pd (effektförlust, max)
290W
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
600V
Td(av)
115 ns
Td(på)
25 ns
Trr-diod (Min.)
45 ns
Typ av transistor
IGBT
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild