N-kanals transistor FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V

Kvantitet

Enhetspris

1-4

83.05kr

5-14

71.60kr

15-29

65.04kr

30-59

60.23kr

60+

53.61kr

Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 29

N-kanals transistor FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2-PAK. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 2. C(tum): 940pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: solomriktare, UPS, svetsmaskin, PFC. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 60A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Kostnad): 110pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: FGB20N60SF. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Obs: N-kanal MOS IGBT transistor. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Td(av): 90 ns. Td(på): 12 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00

FGB20N60SF

26 parametrar

Ic(T=100°C)

20A

Hölje

D2PAK ( TO-263 )

Hölje (enligt datablad)

D2-PAK

Kollektor-/emitterspänning Vceo

600V

Antal terminaler

C(tum)

940pF

CE-diod

nej

Driftstemperatur

-55...+150°C

Funktion

solomriktare, UPS, svetsmaskin, PFC

Germanium diod

nej

Grind/sändarspänning VGE(th) min.

4 v

Grind/sändarspänning VGE(th)max.

6.5V

Grind/sändarspänning VGE

20V

Ic(puls)

60A

Kanaltyp

Kollektorström

40A

Kostnad)

110pF

Montering/installation

ytmonterad komponent (SMD)

Märkning på höljet

FGB20N60SF

Mättnadsspänning VCE(lat)

2.4V

Obs

N-kanal MOS IGBT transistor

Pd (effektförlust, max)

208W

RoHS

Td(av)

90 ns

Td(på)

12 ns

Originalprodukt från tillverkaren

Fairchild