N-kanals transistor FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Antal terminaler: 3. Avgift: 284nC. C(tum): 2915pF. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 60A. Collector Peak Current IP [A]: 180A. Driftstemperatur: -55...+175°C. Effekt: 300W. Emitter - grindspänning: ±20V. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svetsstation, PFC, Telecom, ESS. Förpackning: tubus. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 180A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 60.4k Ohms. Kostnad): 270pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 650V. Td(av): 104 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: "Field Stop IGBT". Trr-diod (Min.): 47ms. Typ av transistor: IGBT. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00