N-kanals transistor FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-kanals transistor FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
42.47kr
5-24
36.93kr
25-49
34.55kr
50+
32.17kr
Antal i lager: 18

N-kanals transistor FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 720pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kostnad): 95pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 31.5W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typisk 12nC), låg Crss 9pF. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
FDPF7N50U
31 parametrar
ID (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
1.2 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
720pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
N
Kostnad)
95pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
31.5W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Låg grindladdning (typisk 12nC), låg Crss 9pF
Td(av)
6 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
UniFET Ultra FRMOS MOSFET
Trr-diod (Min.)
40 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild