N-kanals transistor FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-kanals transistor FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
42.65kr
5-24
38.41kr
25-49
34.92kr
50-99
32.04kr
100+
27.67kr
Antal i lager: 24

N-kanals transistor FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.46 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 945pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 46A. Kanaltyp: N. Kostnad): 155pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 42W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 23nC), Låg Crss 14pF. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: UniFET TM II MOSFET. Trr-diod (Min.): 315 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
FDPF12N50NZ
31 parametrar
ID (T=100°C)
6.9A
ID (T=25°C)
11.5A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.46 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
945pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
46A
Kanaltyp
N
Kostnad)
155pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
42W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Spec info
Låg grindladdning (typiskt 23nC), Låg Crss 14pF
Td(av)
60 ns
Td(på)
20 ns
Teknik
UniFET TM II MOSFET
Trr-diod (Min.)
315 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild