N-kanals transistor FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanals transistor FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
65.90kr
5-9
60.11kr
10-24
54.88kr
25-49
50.12kr
50+
43.29kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 5

N-kanals transistor FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 6000pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 820pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 310W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 90 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
FDP3632
30 parametrar
ID (T=100°C)
57A
ID (T=25°C)
80A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.009 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
6000pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kostnad)
820pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
310W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
90 ns
Td(på)
30 ns
Teknik
N-Channel PowerTrench® MOSFET
Trr-diod (Min.)
64 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för FDP3632