N-kanals transistor FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanals transistor FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
63.27kr
5-24
57.10kr
25-49
52.19kr
50-99
48.02kr
100+
42.38kr
Antal i lager: 48

N-kanals transistor FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 72A. Kanaltyp: N. Kostnad): 330pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 235W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Td(av): 95 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: N-Channel MOSFET (UniFET). Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
FDP18N50
31 parametrar
ID (T=100°C)
10.8A
ID (T=25°C)
18A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.22 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
72A
Kanaltyp
N
Kostnad)
330pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
235W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Faible charge de grille (45nC typique)
Td(av)
95 ns
Td(på)
55 ns
Teknik
N-Channel MOSFET (UniFET)
Trr-diod (Min.)
500 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild