N-kanals transistor FDN335N, SuperSOT-3
Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.13kr
5-9
7.57kr
10-19
5.98kr
20-49
5.13kr
50+
4.55kr
| Antal i lager: 50 |
N-kanals transistor FDN335N, SuperSOT-3. Hölje: SuperSOT-3. : Förbättrad. Avgift: 5nC. Dräneringskälla spänning: 20V. Dräneringsström: 1.7A. Effekt: 0.5W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Grindspänning: ±8V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: PowerTrench®. Typ av transistor: N-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 03:09
FDN335N
14 parametrar
Hölje
SuperSOT-3
Förbättrad
Avgift
5nC
Dräneringskälla spänning
20V
Dräneringsström
1.7A
Effekt
0.5W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Grindspänning
±8V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
PowerTrench®
Typ av transistor
N-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi