N-kanals transistor FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanals transistor FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.03kr
5-49
9.94kr
50-99
8.87kr
100+
7.80kr
Antal i lager: 25

N-kanals transistor FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 880pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 2500. Kostnad): 195pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 40W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Trr-diod (Min.): 23 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:19

Teknisk dokumentation (PDF)
FDD8878
30 parametrar
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
40A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.011 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
880pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
DC/DC spänningsomvandlare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Kanaltyp
N
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
2500
Kostnad)
195pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
40W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
39 ns
Td(på)
7 ns
Teknik
Power Trench MOSFET
Trr-diod (Min.)
23 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1.2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild