N-kanals transistor FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanals transistor FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
41.95kr
5-24
37.12kr
25-49
32.73kr
50+
29.94kr
Antal i lager: 258

N-kanals transistor FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 8.2M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: diod. C(tum): 5070pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. G-S Skydd: nej. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kostnad): 550pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Obs: Logisk nivå grindad transistor. Pd (effektförlust, max): 70W. Port-/källspänning Vgs: 12V. RoHS: ja. Td(av): 69 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:47

Teknisk dokumentation (PDF)
FDD6672A
29 parametrar
ID (T=100°C)
50A
ID (T=25°C)
65A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
8.2M Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
diod
C(tum)
5070pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
DC/DC spänningsomvandlare
G-S Skydd
nej
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Kostnad)
550pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Obs
Logisk nivå grindad transistor
Pd (effektförlust, max)
70W
Port-/källspänning Vgs
12V
RoHS
ja
Td(av)
69 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
Power Trench MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild