N-kanals transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanals transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
40.35kr
5-49
38.36kr
50-99
36.44kr
100+
32.22kr
Antal i lager: 293

N-kanals transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.0088 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: diod. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 52W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Teknik: PowerTrench MOSFET. Trr-diod (Min.): 25 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:19

FDD6296
22 parametrar
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
0.0088 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
diod
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
52W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Teknik
PowerTrench MOSFET
Trr-diod (Min.)
25 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor