N-kanals transistor FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6
Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.21kr
5-9
12.00kr
10-19
10.36kr
20-49
9.43kr
50+
8.79kr
| Antal i lager: 25 |
N-kanals transistor FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6. Hölje: SSOT-6, SuperSOT-6. : Förbättrad. Avgift: 3.2nC. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 2.5A. Effekt: 0.96W. Grindspänning: ±20V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: PowerTrench®. Typ av transistor: N-MOSFET x2. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 21:12
FDC6561AN
13 parametrar
Hölje
SSOT-6, SuperSOT-6
Förbättrad
Avgift
3.2nC
Dräneringskälla spänning
30V
Dräneringsström
2.5A
Effekt
0.96W
Grindspänning
±20V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
PowerTrench®
Typ av transistor
N-MOSFET x2
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi