N-kanals transistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

N-kanals transistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
38.73kr
5-24
34.56kr
25-49
31.99kr
50-99
30.19kr
100+
27.37kr
Antal i lager: 58

N-kanals transistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=100°C): -. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.0087 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1970pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): -. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kostnad): 250pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 60W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:47

Teknisk dokumentation (PDF)
FDB8447L
28 parametrar
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
0.0087 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
TO-263AB
Spänning Vds(max)
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1970pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Kostnad)
250pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
60W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
28 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
PowerTrench MOSFET
Trr-diod (Min.)
28 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor