N-kanals transistor FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V

N-kanals transistor FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
60.13kr
5-24
53.21kr
25-49
48.06kr
50+
43.49kr
Antal i lager: 40

N-kanals transistor FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.31 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1495pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 66A. Kanaltyp: N. Kostnad): 235pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: FDA16N50. Pd (effektförlust, max): 205W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning. Td(av): 65 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: UniFET MOSFET, DMOS technology. Trr-diod (Min.): 490 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:19

FDA16N50-F109
32 parametrar
ID (T=100°C)
9.9A
ID (T=25°C)
16.5A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.31 Ohms
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
TO-3PN
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
1495pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
PDP TV, Uninterruptible Power Supply
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
66A
Kanaltyp
N
Kostnad)
235pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
FDA16N50
Pd (effektförlust, max)
205W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Låg grindladdning
Td(av)
65 ns
Td(på)
40 ns
Teknik
UniFET MOSFET, DMOS technology
Trr-diod (Min.)
490 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild