N-kanals transistor FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

Kvantitet

Enhetspris

1-4

35.13kr

5-24

30.24kr

25-49

26.53kr

50-99

24.12kr

100+

20.72kr

+3333 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 56

N-kanals transistor FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V. Drain-source spänning (Vds): 650V. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: TO-220FP. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. C(tum): 1148pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 36W. Funktion: Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kostnad): 671pF. Max dräneringsström: 11A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 36W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Teknik: SuperFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:47

Teknisk dokumentation (PDF)

FCPF11N60

26 parametrar

Drain-source spänning (Vds)

650V

Resistans Rds På

0.33 Ohms

Hölje

TO-220FP

ID (T=100°C)

ID (T=25°C)

11A

Idss (max)

10uA

Hölje (enligt datablad)

TO-220F

Spänning Vds(max)

600V

Antal per fodral

C(tum)

1148pF

Driftstemperatur

-55...+150°C

Effekt

36W

Funktion

Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF

IDss (min)

1uA

Id(imp)

33A

Kanaltyp

Kostnad)

671pF

Max dräneringsström

11A

Montering/installation

Genomgående hålmontering på kretskort

Pd (effektförlust, max)

36W

Port-/källspänning Vgs

30 v

Teknik

SuperFET

Typ av transistor

MOSFET

Vgs(th) max.

Vgs(th) min.

Originalprodukt från tillverkaren

Fairchild