N-kanals transistor ECX10N20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

N-kanals transistor ECX10N20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-9
127.42kr
10-29
118.21kr
30-59
113.65kr
60-119
110.34kr
120+
104.01kr
Antal i lager: 60

N-kanals transistor ECX10N20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: nej. C(tum): 500pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.15V. Kanaltyp: N. Kostnad): 300pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Olika: HI-FI effektförstärkare. Pd (effektförlust, max): 125W. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. Port-/källspänning Vgs: 14V. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ECX10P20. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Exicon. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:03

Teknisk dokumentation (PDF)
ECX10N20
28 parametrar
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
10mA
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
nej
C(tum)
500pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
AUDIO POWER Förstärkare MOSFET
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) max.
1.5V
Grind/källa spänning (av) min.
0.15V
Kanaltyp
N
Kostnad)
300pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Olika
HI-FI effektförstärkare
Pd (effektförlust, max)
125W
Pinout
1 - G, 2 - S, 3 - D
Port-/källspänning Vgs
14V
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) ECX10P20
Td(av)
50 ns
Td(på)
100 ns
Teknik
N–CHANNEL POWER MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Exicon