N-kanals transistor ECW20N20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

N-kanals transistor ECW20N20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
269.61kr
5-9
245.07kr
10-24
226.90kr
25-49
216.17kr
50+
203.62kr
Antal i lager: 18

N-kanals transistor ECW20N20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 900pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.1V. Kanaltyp: N. Kostnad): 500pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Olika: HI-FI effektförstärkare. Pd (effektförlust, max): 250W. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. Port-/källspänning Vgs: 14V. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) ECW20P20. Td(av): 90 ns. Td(på): 155 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Exicon. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:03

Teknisk dokumentation (PDF)
ECW20N20
28 parametrar
ID (T=25°C)
16A
Idss (max)
10mA
Hölje
TO-264 ( TOP-3L )
Hölje (enligt datablad)
TO-264
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
900pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
AUDIO POWER Förstärkare MOSFET
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) max.
1.5V
Grind/källa spänning (av) min.
0.1V
Kanaltyp
N
Kostnad)
500pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Olika
HI-FI effektförstärkare
Pd (effektförlust, max)
250W
Pinout
1 - G, 2 - S, 3 - D
Port-/källspänning Vgs
14V
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) ECW20P20
Td(av)
90 ns
Td(på)
155 ns
Teknik
N–CHANNEL POWER MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Exicon