N-kanals transistor DF600R12IP4D, 600A, andra, andra, 1200V

Kvantitet

Enhetspris

1-1

5291.06kr

2-4

5024.64kr

5-7

4864.77kr

8-14

4730.15kr

15+

4522.14kr

Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 4

N-kanals transistor DF600R12IP4D, 600A, andra, andra, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Hölje: andra. Hölje (enligt datablad): andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 10. C(tum): 37pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+150°C. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 1200A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 600A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Mått: 172x89x37mm. Pd (effektförlust, max): 3350W. RoHS: ja. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Td(av): 0.7 ns. Td(på): 0.21 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:27

Teknisk dokumentation (PDF)

DF600R12IP4D

24 parametrar

Ic(T=100°C)

600A

Hölje

andra

Hölje (enligt datablad)

andra

Kollektor-/emitterspänning Vceo

1200V

Antal terminaler

C(tum)

37pF

CE-diod

Driftstemperatur

-40...+150°C

Funktion

VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C)

Germanium diod

nej

Grind/sändarspänning VGE(th) min.

5.8V

Grind/sändarspänning VGE

20V

Ic(puls)

1200A

Kanaltyp

Kollektorström

600A

Montering/installation

Genomgående hålmontering på kretskort

Mättnadsspänning VCE(lat)

1.7V

Mått

172x89x37mm

Pd (effektförlust, max)

3350W

RoHS

Spec info

ICRM--Tp=1mS 1200A

Td(av)

0.7 ns

Td(på)

0.21 ns

Originalprodukt från tillverkaren

Infineon Technologies