N-kanals transistor CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm plastfodral, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.024...0.042 Ohms. Hölje: WSON6. Hölje (enligt datablad): 2 mm × 2 mm plastfodral. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 6. Avloppsskydd: ja. C(tum): 260pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): -. Id(imp): 57A. Kanaltyp: N. Kostnad): 140pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 17W. Port-/källspänning Vgs: 8V. RoHS: ja. Td(av): 4.2 ns. Td(på): 2.8 ns. Teknik: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Originalprodukt från tillverkaren: Texas Instruments. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:19