N-kanals transistor CM200DY-24H, 200A, andra, andra, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Hölje: andra. Hölje (enligt datablad): andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 7. C(tum): 40pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -40...+125°C. Funktion: Dubbel IGBT-transistor (isolerad). Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 400A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 200A. Kostnad): 14pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Mått: 108x62x31mm. Pd (effektförlust, max): 1500W. RoHS: ja. Spec info: Högeffektsväxling. Td(av): 300 ns. Td(på): 250 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Mitsubishi Electric Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 03:27