N-kanals transistor BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. C(tum): 460pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 11.5A. Kanaltyp: N. Kostnad): 55pF. Pd (effektförlust, max): 75W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 50 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: V-MOS. Trr-diod (Min.): 350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Siemens. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 08:57