N-kanals transistor BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

N-kanals transistor BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
37.10kr
5-24
35.26kr
25-49
33.33kr
50+
32.34kr
Antal i lager: 20

N-kanals transistor BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2230pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 347A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Kostnad): 510pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 166W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 84 ns. Td(på): 18 ns. Trr-diod (Min.): 62 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BUK7611-55A-118
29 parametrar
ID (T=100°C)
61A
ID (T=25°C)
75A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
0.009 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-404
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
2230pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
347A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Kostnad)
510pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
166W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
84 ns
Td(på)
18 ns
Trr-diod (Min.)
62 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors