N-kanals transistor BST82-215, SOT23
Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.00kr
5-9
6.25kr
10-19
4.65kr
20-49
3.82kr
50+
3.28kr
| Antal i lager: 25 |
N-kanals transistor BST82-215, SOT23. Hölje: SOT23. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 0.19A. Effekt: 0.83W. Grindspänning: ±20V. Montering/installation: SMD. Motstånd mot tillstånd: 10 Ohms. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Typ av transistor: N-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Nexperia. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:39
BST82-215
11 parametrar
Hölje
SOT23
Dräneringskälla spänning
100V
Dräneringsström
0.19A
Effekt
0.83W
Grindspänning
±20V
Montering/installation
SMD
Motstånd mot tillstånd
10 Ohms
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Typ av transistor
N-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Nexperia