N-kanals transistor BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 25pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. Funktion: Mycket snabb växling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 8.5pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 0.83W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Logiknivåkompatibel. Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31