N-kanals transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.24kr
5-49
17.51kr
50-99
16.35kr
100+
15.31kr
| Antal i lager: 14 |
N-kanals transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SOT54. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 25pF. Funktion: Very fast switching, Logic level compatible. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 8.5pF. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31
BST72A
25 parametrar
ID (T=25°C)
0.19A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
5 Ohms
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
SOT54
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
25pF
Funktion
Very fast switching, Logic level compatible
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.01uA
Id(imp)
0.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
8.5pF
Pd (effektförlust, max)
0.83W
Td(av)
12 ns
Td(på)
3 ns
Teknik
Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
30 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors