N-kanals transistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

N-kanals transistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
9.80kr
5-49
7.78kr
50-99
6.94kr
100+
6.10kr
Antal i lager: 167

N-kanals transistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100nA. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: diod. C(tum): 250pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10nA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 88pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 8.3W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 21 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BSP100
30 parametrar
ID (T=100°C)
4.4A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
100nA
Resistans Rds På
0.8 Ohms
Hölje
SOT-223 ( TO-226 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-223
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
4
Avloppsskydd
diod
C(tum)
250pF
Driftstemperatur
-65...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10nA
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kostnad)
88pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
8.3W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
21 ns
Td(på)
6 ns
Teknik
Enhancement mode, TrenchMOS transistor
Trr-diod (Min.)
69 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.8V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors