N-kanals transistor BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.79kr
5-24
4.85kr
25-49
4.25kr
50-99
3.82kr
100+
3.26kr
| +5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 217 |
N-kanals transistor BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V. Hölje: SOT-143. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 15mA. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Spänning Vds(max): 12V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: nej. C(tum): 2.1pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: VHF- och UHF-applikationer med 12V matningsspänning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 5mA. Kanaltyp: N. Kostnad): 1.1pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: MOS. Pd (effektförlust, max): 200mW. RoHS: ja. Teknik: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 22:30
BF998
23 parametrar
Hölje
SOT-143
ID (T=25°C)
30mA
Idss (max)
15mA
Hölje (enligt datablad)
SOT-143
Spänning Vds(max)
12V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
4
Avloppsskydd
nej
C(tum)
2.1pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
VHF- och UHF-applikationer med 12V matningsspänning
G-S Skydd
nej
IDss (min)
5mA
Kanaltyp
N
Kostnad)
1.1pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
MOS
Pd (effektförlust, max)
200mW
RoHS
ja
Teknik
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies