| Antal i lager: 4 |
N-kanals transistor BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v
Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.44kr
5-24
14.69kr
25-49
13.81kr
50-99
12.99kr
100+
11.46kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 41 |
N-kanals transistor BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: nej. C(tum): 4pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: HF-VHF. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 3.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.6V. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Kanaltyp: N. Kostnad): 1.6pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300mW. Port-/källspänning Vgs: 8V. RoHS: ja. Teknik: Fälteffekttransistor. Typ av transistor: JFET. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 22:30
BF245B
25 parametrar
ID (T=25°C)
25mA
Idss (max)
15mA
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
nej
C(tum)
4pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
HF-VHF
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) max.
3.8V
Grind/källa spänning (av) min.
1.6V
IDss (min)
6mA
IGF
10mA
Kanaltyp
N
Kostnad)
1.6pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
300mW
Port-/källspänning Vgs
8V
RoHS
ja
Teknik
Fälteffekttransistor
Typ av transistor
JFET
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors