N-kanals transistor APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

N-kanals transistor APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-2
383.41kr
3-4
355.38kr
5-9
335.13kr
10+
321.41kr
Antal i lager: 8

N-kanals transistor APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2600pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: snabb växling, lågt läckage. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kostnad): 270pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 260W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power MOSV. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:35

Teknisk dokumentation (PDF)
APT8075BVRG
27 parametrar
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.75 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2600pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
snabb växling, lågt läckage
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) min.
2V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kostnad)
270pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
260W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
45 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
Power MOSV
Trr-diod (Min.)
600 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Originalprodukt från tillverkaren
Advanced Power