N-kanals transistor APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

N-kanals transistor APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-2
472.29kr
3-4
454.12kr
5-9
419.94kr
10+
390.64kr
Antal i lager: 13

N-kanals transistor APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 7400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: snabb växling, lågt läckage. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 176A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1000pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 450W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 54 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: Power MOSV. Trr-diod (Min.): 620 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:35

Teknisk dokumentation (PDF)
APT5010JVR
27 parametrar
ID (T=25°C)
44A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.10 Ohms
Hölje
ISOTOP ( SOT227B )
Hölje (enligt datablad)
ISOTOP ( SOT-227 )
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
7400pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
snabb växling, lågt läckage
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) min.
2V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
176A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1000pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
450W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
54 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
Power MOSV
Trr-diod (Min.)
620 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Originalprodukt från tillverkaren
Advanced Power