N-kanals transistor APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

N-kanals transistor APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
151.88kr
5-14
141.95kr
15-29
133.83kr
30-59
127.54kr
60+
115.68kr
Antal i lager: 13

N-kanals transistor APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1685pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Strömförsörjning med högfrekvent switchläge. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 65A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 56A. Kostnad): 210pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Td(av): 29 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: POWER MOS 7® IGBT. Trr-diod (Min.): 55ms. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:35

Teknisk dokumentation (PDF)
APT15GP60BDQ1G
27 parametrar
Ic(T=100°C)
27A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
1685pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Strömförsörjning med högfrekvent switchläge
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
65A
Kanaltyp
N
Kollektorström
56A
Kostnad)
210pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.7V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.2V
Pd (effektförlust, max)
250W
RoHS
ja
Td(av)
29 ns
Td(på)
8 ns
Teknik
POWER MOS 7® IGBT
Trr-diod (Min.)
55ms
Originalprodukt från tillverkaren
Advanced Power