N-kanals transistor AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (max): 10.4A. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. C(tum): 450pF. Funktion: snabb växling, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kostnad): 120pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 4800C G M. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(av): 17 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25