N-kanals transistor AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

N-kanals transistor AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
32.83kr
5-24
29.46kr
25-49
27.26kr
50+
25.28kr
Antal i lager: 20

N-kanals transistor AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 25m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 655pF. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 95A. Kanaltyp: N. Kostnad): 145pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 40T03GS. Pd (effektförlust, max): 31W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(av): 16 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
AP40T03GS
29 parametrar
ID (T=100°C)
24A
ID (T=25°C)
28A
Idss (max)
25uA
Resistans Rds På
25m Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
655pF
Driftstemperatur
-55°C...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
95A
Kanaltyp
N
Kostnad)
145pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
40T03GS
Pd (effektförlust, max)
31W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(av)
16 ns
Td(på)
6 ns
Teknik
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Advanced Power