N-kanals transistor AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 25m Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 655pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 95A. Kanaltyp: N. Kostnad): 145pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 40T03 GP. Pd (effektförlust, max): 31.25W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(av): 16 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Advanced Power. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25