N-kanals transistor AON6512, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 1.9m Ohms. Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3430pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 340A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1327pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 83W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 33.8 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: "Senaste Trench Power AlphaMOS-tekniken". Trr-diod (Min.): 22 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25