N-kanals transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

N-kanals transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
22.61kr
5-24
19.58kr
25-49
17.30kr
50-99
15.27kr
100+
12.59kr
+5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 41

N-kanals transistor AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.71 Ohms. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 500V. : Förbättrad. Antal per fodral: 1. Avgift: 13.1nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 962pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 500V. Dräneringsström: 5.7A. Effekt: 178W. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±30V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kostnad): 98pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 178W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 55 ns. Td(på): 24 ns. Trr-diod (Min.): 332ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

AOD9N50
33 parametrar
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.71 Ohms
Hölje (enligt datablad)
D-PAK TO-252AA
Spänning Vds(max)
500V
Förbättrad
Antal per fodral
1
Avgift
13.1nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
962pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringskälla spänning
500V
Dräneringsström
5.7A
Effekt
178W
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±30V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
27A
Kanaltyp
N
Kostnad)
98pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
178W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
55 ns
Td(på)
24 ns
Trr-diod (Min.)
332ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.3V