N-kanals transistor AO4800, SO8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.64kr
5-9
12.29kr
10-19
10.64kr
20-49
9.71kr
50+
9.07kr
| Antal i lager: 15 |
N-kanals transistor AO4800, SO8. Hölje: SO8. Antal utgångar: 2. Avgift: 6nC. Driftstemperatur: -55...150°C. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 6.9A. Grindspänning: ±12V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: MOSFET. Typ av transistor: N-MOSFET x2. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha and Omega Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 22:06
AO4800
13 parametrar
Hölje
SO8
Antal utgångar
2
Avgift
6nC
Driftstemperatur
-55...150°C
Dräneringskälla spänning
30V
Dräneringsström
6.9A
Grindspänning
±12V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
MOSFET
Typ av transistor
N-MOSFET x2
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha and Omega Semiconductor