N-kanals transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-kanals transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.06kr
5-49
12.44kr
50-99
10.50kr
100+
9.37kr
Antal i lager: 48

N-kanals transistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 20mA. Resistans Rds På: 0.0058 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 2154pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.1mA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kostnad): 474pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 3.1W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 25.2 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET). Trr-diod (Min.): 12 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:25

Teknisk dokumentation (PDF)
AO4716
30 parametrar
ID (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
20mA
Resistans Rds På
0.0058 Ohms
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
2154pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.1mA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kostnad)
474pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
3.1W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
25.2 ns
Td(på)
6.8 ns
Teknik
Enhancement Mode Field Effect (SRFET)
Trr-diod (Min.)
12 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1.3V
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha & Omega Semiconductors