N-kanals transistor AO4264E, SO8
Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.93kr
5-9
9.29kr
10-19
7.71kr
20-49
6.85kr
50+
6.24kr
| Antal i lager: 100 |
N-kanals transistor AO4264E, SO8. Hölje: SO8. : Förbättrad. Avgift: 7nC. Dräneringskälla spänning: 60V. Dräneringsström: 10.5A. Effekt: 2W. Egenskaper för halvledare: ESD-skyddad. Grindspänning: ±20V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Typ av transistor: N-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha and Omega Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 22:06
AO4264E
13 parametrar
Hölje
SO8
Förbättrad
Avgift
7nC
Dräneringskälla spänning
60V
Dräneringsström
10.5A
Effekt
2W
Egenskaper för halvledare
ESD-skyddad
Grindspänning
±20V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Typ av transistor
N-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha and Omega Semiconductor