N-kanals transistor AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

N-kanals transistor AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
2.81kr
5-49
2.26kr
50-99
1.94kr
100-199
1.74kr
200+
1.49kr
Antal i lager: 260

N-kanals transistor AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 18M Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 20V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1160pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Kostnad): 187pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1.4W. Port-/källspänning Vgs: 8V. RoHS: ja. Spec info: ESD-skyddad. Td(av): 51.7 ns. Td(på): 6.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diod (Min.): 17.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:52

Teknisk dokumentation (PDF)
AO3416
31 parametrar
ID (T=100°C)
5.2A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (max)
5uA
Resistans Rds På
18M Ohms
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spänning Vds(max)
20V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
1160pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Låg inmatningsavgift
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
30A
Kanaltyp
N
Kostnad)
187pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1.4W
Port-/källspänning Vgs
8V
RoHS
ja
Spec info
ESD-skyddad
Td(av)
51.7 ns
Td(på)
6.2 ns
Teknik
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diod (Min.)
17.7 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1V
Vgs(th) min.
0.4V
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha & Omega Semiconductors