N-kanals transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

N-kanals transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
36.67kr
5-49
32.98kr
50-99
29.14kr
100+
26.63kr
Antal i lager: 58

N-kanals transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (max): 4.1A. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 520pF. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. G-S Skydd: nej. Id(imp): 25A. Kanaltyp: N. Kostnad): 100pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1.4W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diod (Min.): 11 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:52

AO3407A
27 parametrar
ID (T=100°C)
3.5A
ID (T=25°C)
4.1A
Idss
1uA
Idss (max)
4.1A
Resistans Rds På
0.052 Ohms
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
520pF
Funktion
Switching eller PWM-applikationer
G-S Skydd
nej
Id(imp)
25A
Kanaltyp
N
Kostnad)
100pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1.4W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
19 ns
Td(på)
7.5 ns
Teknik
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diod (Min.)
11 ns
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Alpha & Omega Semiconductors