N-kanals transistor AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v
| +25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 708 |
N-kanals transistor AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (max): 5.7A. Resistans Rds På: 22M Ohms. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. : Förbättrad. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 6nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 630pF. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 4.7A. Effekt: 1.4W. Funktion: Switching eller PWM-applikationer. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±12V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 25A. Kanaltyp: N. Kostnad): 75pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1uA. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 12V. RoHS: ja. Td(av): 21.5 ns. Td(på): 3.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diod (Min.): 16.8 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Alpha & Omega Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:52