N-kanals transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC
Kvantitet
Enhetspris
1-1
461.41kr
2-2
433.26kr
3-3
411.40kr
4-4
389.76kr
5-9
373.57kr
10-29
366.87kr
30+
366.59kr
| Antal i lager: 27 |
N-kanals transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Drain-source spänning (Vds): 1200V. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Hölje: TO-247AC. Effekt: 228W. Inbyggd diod: ja. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 52A. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 12:59
AIMW120R035M1HXKSA1
9 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
1200V
Resistans Rds På
0.035 Ohms
Hölje
TO-247AC
Effekt
228W
Inbyggd diod
ja
Kanaltyp
N
Max dräneringsström
52A
Typ av transistor
MOSFET krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies