N-kanals transistor 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v
Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.94kr
5-24
12.74kr
25-49
11.21kr
50-99
10.19kr
100+
8.73kr
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Antal i lager: 10 |
N-kanals transistor 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 3.7 Ohms. Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): SSFP. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 7pF. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. G-S Skydd: ja. Grind/källa spänning (av) max.: 1.3V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.4V. Id(imp): 0.6A. Kanaltyp: N. Kostnad): 5.9pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 0.15W. Td(av): 150 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: kisel MOSFET transistor. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:52
3LN01SS
23 parametrar
ID (T=25°C)
0.15A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
3.7 Ohms
Hölje
SMD
Hölje (enligt datablad)
SSFP
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
7pF
Funktion
Ultrahigh-Speed Switching
G-S Skydd
ja
Grind/källa spänning (av) max.
1.3V
Grind/källa spänning (av) min.
0.4V
Id(imp)
0.6A
Kanaltyp
N
Kostnad)
5.9pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
0.15W
Td(av)
150 ns
Td(på)
19 ns
Teknik
kisel MOSFET transistor
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo